LED鋁基板主要用作LED模片與系統電路板之間的熱能輸出介質，并通過絲鍵合、共晶或倒裝等過程與LED模片結合。基于散熱的考慮，市場上LED鋁基板主要為陶瓷基板。電路制備方法大致可分為厚膜陶瓷基板、低溫共燒多層陶瓷基板和薄膜陶瓷基板三種。

在傳統大功率LED元件中，通常采用厚膜或低溫共燒陶瓷基板作為模具散熱基板，然后通過金絲鍵合將LED模與陶瓷基板結合。這種金線連接限制了沿電極接觸熱損失的有效性。因而國內外大廠無不朝向解決此問題而努力。

有兩種解決方案。一種是找到基質材料具有高散熱系數代替氧化鋁，包括硅基質、碳化硅基板、陽極電鍍鋁基板或氮化鋁基板，硅和碳化硅襯底材料是半導體的特點使其遇到嚴峻的考驗在這一階段，和陽極電鍍鋁襯底容易傳導由于開裂是由于氧化陽極氧化膜層的強度不足，這限制了它的實際應用。因此，現階段較為成熟和普遍接受的是使用氮化鋁作為散熱基材。

然而，它目前的限制是，氮化鋁襯底不適合傳統的厚膜工藝(材料必須經過850℃的大氣熱處理后，銀膠印造成材料的可靠性問題)。所以，氮化鋁基板電路需要制備薄膜。準備的氮化鋁襯底薄膜過程大大加速了死的熱量的效率通過襯底材料系統電路板，從而大大減少了負擔，導致死亡的熱量通過金屬絲系統電路板，從而實現高散熱效果。

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